FDD13AN06F085. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FDD13AN06F085
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для FDD13AN06F085
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDD13AN06F085 даташит
fdd13an06a0.pdf
July 2003 FDD13AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 13.5m Features Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC co
fdd13an06a0 f085.pdf
September 2010 FDD13AN06A0_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 13.5m Features Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
fdd13an06 f085.pdf
September 2010 FDD13AN06A0_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 13.5m Features Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
fdd13an06a0-f085.pdf
FDD13AN06A0-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 13.5m Applications Features Motor / Body Load Control rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A ABS Systems Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Injection Systems Low QRR Body Diode DC-DC converters and Off-line UPS UIS Capability (Single Puls
Другие MOSFET... FCP16N60 , FDS8960C , FCPF11N60F , HUF76645SF085 , FCPF20N60 , FDS8672S , FDB045AN08F085 , FQB10N50CFTM , AON6414A , FDMS039N08B , FDT86256 , FDI045N10A , FDP045N10A , FDP150N10A , FDP020N06B , FDP027N08B , FDMA8884 .
History: LDP9933ET1G | IRFH5304 | FDP027N08B
History: LDP9933ET1G | IRFH5304 | FDP027N08B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830




