FDZ663P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDZ663P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.134 Ohm
Encapsulados: WLCSP
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FDZ663P datasheet
fdz663p.pdf
December 2011 FDZ663P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.7 A, 134 m Features General Description Max rDS(on) = 134 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 A Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 171 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 A the FDZ663P minimizes bo
fdz661pz.pdf
December 2011 FDZ661PZ P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -2.6 A, 140 m Features General Description Max rDS(on) = 140 m at VGS = -4.5 V, ID = -2 A Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 182 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 A the FDZ661PZ minimizes
Otros transistores... FDP045N10A , FDP150N10A , FDP020N06B , FDP027N08B , FDMA8884 , FDC8878 , FDC8884 , FDZ661PZ , 2N7002 , FDMC86320 , FDD8424HF085A , FDMS86320 , FDD5N60NZ , FDD7N60NZ , FDMS8020 , FDU7N60NZTU , FCPF190N60 .
History: SDF02N20 | FDMS3622S
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Liste
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MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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