FDME820NZT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDME820NZT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 203 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET1.6X1.6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDME820NZT

FDME820NZT Datasheet (PDF)

..1. Size:256K fairchild semi
fdme820nzt.pdf

October 2013FDME820NZTN-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 9 A, 18 mFeatures General Description Max rDS(on) = 18 m at VGS = 4.5 V, ID = 9 AThis Single N-Channel MOSFET has been designed usingFairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 24 m at VGS = 2.5 V, ID = 7.5 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET Max rDS(on) = 32 m

..2. Size:723K onsemi
fdme820nzt.pdf

FDME820NZTN-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description20 V, 9 A, 18 mThis Single N-Channel MOSFET has been designed using FeaturesON Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 18 m at VGS = 4.5 V, ID = 9 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET Max rDS(on) = 24 m at VGS = 2.5 V, ID = 7.5 A leadframe. Max rDS(on) = 32 m at VG

Otros transistores... FCPF400N60 , FDD86540 , FDMS015N04B , FDD390N15ALZ , FDMA7628 , FDMC86248 , FDPC8013S , FDP039N08B , EMB04N03H , FDS86540 , FDPF18N20FTG , HUF76633P3F085 , FDMS030N06B , FDMA3027PZ , FDP053N08B , FCB20N60FF085 , FDMS8570SDC .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: