FDME820NZT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDME820NZT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 203 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Encapsulados: MICROFET1.6X1.6
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FDME820NZT datasheet
fdme820nzt.pdf
October 2013 FDME820NZT N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 9 A, 18 m Features General Description Max rDS(on) = 18 m at VGS = 4.5 V, ID = 9 A This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 24 m at VGS = 2.5 V, ID = 7.5 A optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET Max rDS(on) = 32 m
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FDME820NZT N-Channel PowerTrench MOSFET General Description 20 V, 9 A, 18 m This Single N-Channel MOSFET has been designed using Features ON Semiconductor s advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 18 m at VGS = 4.5 V, ID = 9 A optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET Max rDS(on) = 24 m at VGS = 2.5 V, ID = 7.5 A leadframe. Max rDS(on) = 32 m at VG
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