FDME430NT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDME430NT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Encapsulados: UMLP1.6X1.6
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FDME430NT datasheet
fdme430nt.pdf
October 2013 FDME430NT N-Channel PowerTrench MOSFET 30 V, 6 A, 40 m Features General Description This single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 40 m at VGS = 4.5 V, ID = 6 A Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process to Max rDS(on) = 51 m at VGS = 2.5 V, ID = 5 A optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET Max rDS(on) = 71 m
fdme410nzt.pdf
February 2010 FDME410NZT N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 7 A, 26 m Features General Description This Single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 26 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 A Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 31 m at VGS = 2.5 V, ID = 6 A optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET Max rDS(on) = 39
Otros transistores... FCP600N60Z , FCPF600N60Z , FDT1600N10ALZ , FDMC86012 , FDMC86520DC , FDMS037N08B , FDP032N08B , FDB3632F085 , 10N60 , FDMS8090 , FDP030N06BF102 , FDI9406F085 , FCH041N60F , FDD10AN06F085 , FDMC86260 , FDMS86200DC , FDMS8333L .
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Liste
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