FDB070AN06F085 Todos los transistores

 

FDB070AN06F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB070AN06F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 159 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
 

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FDB070AN06F085 Datasheet (PDF)

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FDB070AN06F085

March 2003FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 6.1m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 51nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

 4.2. Size:726K  fairchild semi
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FDB070AN06F085

May 2012FDB070AN06A0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 6.1m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 51nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC c

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FDB070AN06F085

FDB070AN06A0-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m Features Applications r = 6.1m (Typ.), V = 10V, I = 80A DS(ON) GS D Motor / Body Load Control Q = 51nC (Typ.), V = 10V g(tot) GS ABS Systems Low Miller Charge Pow ertrain Management Low Q Body Diode RR Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive

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History: MTP3055E

 

 
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