FDB070AN06F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDB070AN06F085
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 159 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO263 D2PAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FDB070AN06F085 Datasheet (PDF)
fdb070an06a0 fdp070an06a0.pdf

March 2003FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 6.1m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 51nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
fdb070an06 f085.pdf

May 2012FDB070AN06A0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 6.1m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 51nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC c
fdb070an06a0-f085.pdf

FDB070AN06A0-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m Features Applications r = 6.1m (Typ.), V = 10V, I = 80A DS(ON) GS D Motor / Body Load Control Q = 51nC (Typ.), V = 10V g(tot) GS ABS Systems Low Miller Charge Pow ertrain Management Low Q Body Diode RR Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive
Другие MOSFET... FDMS8333L , FDP023N08B , FCPF36N60N , FDD770N15A , FDMS8820 , FDMS8320LDC , HUF76639SF085 , FDB38N30U , AON7410 , FDD1600N10ALZ , FCD380N60E , FCD900N60Z , FCD600N60Z , FDD1600N10ALZD , FDD850N10LD , FCH072N60F , FDMB2308PZ .
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972