FDZ1323NZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDZ1323NZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 269 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: WL-CSP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDZ1323NZ

FDZ1323NZ Datasheet (PDF)

..1. Size:356K fairchild semi
fdz1323nz.pdf

September 2014FDZ1323NZCommon Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET20 V, 10 A, 13 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rS1S2(on) = 13 m at VGS = 4.5 V, IS1S2 = 1 Afor Li-Ion battery pack protection circuit and other ultra-portable Max rS1S2(on) = 13 m at VGS = 3.8 V, IS1S2 = 1 Aapplications. It f

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: