FDZ1323NZ - аналоги и даташиты транзистора

 

FDZ1323NZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDZ1323NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 269 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: WL-CSP
 

 Аналог (замена) для FDZ1323NZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ1323NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  fairchild semi
 fdz1323nz.pdf pdf_icon

FDZ1323NZ

September 2014FDZ1323NZCommon Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET20 V, 10 A, 13 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rS1S2(on) = 13 m at VGS = 4.5 V, IS1S2 = 1 Afor Li-Ion battery pack protection circuit and other ultra-portable Max rS1S2(on) = 13 m at VGS = 3.8 V, IS1S2 = 1 Aapplications. It f

Другие MOSFET... FCD380N60E , FCD900N60Z , FCD600N60Z , FDD1600N10ALZD , FDD850N10LD , FCH072N60F , FDMB2308PZ , FDMS3669S , 4N60 , FDPC8012S , FDMS86152 , FDN537N , FDB9406F085 , FDD120AN15F085 , FDPC4044 , FDMC8360L , FDMC86340 .

 

 
Back to Top

 


 
.