Справочник MOSFET. FDZ1323NZ

 

FDZ1323NZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDZ1323NZ
   Маркировка: EC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 269 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: WL-CSP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ1323NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  fairchild semi
 fdz1323nz.pdf pdf_icon

FDZ1323NZ

September 2014FDZ1323NZCommon Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET20 V, 10 A, 13 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rS1S2(on) = 13 m at VGS = 4.5 V, IS1S2 = 1 Afor Li-Ion battery pack protection circuit and other ultra-portable Max rS1S2(on) = 13 m at VGS = 3.8 V, IS1S2 = 1 Aapplications. It f

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STS6604L

 

 
Back to Top

 


 
.