FDZ1323NZ - описание и поиск аналогов

 

FDZ1323NZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDZ1323NZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 269 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: WL-CSP

Аналог (замена) для FDZ1323NZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ1323NZ даташит

 ..1. Size:356K  fairchild semi
 fdz1323nz.pdf pdf_icon

FDZ1323NZ

September 2014 FDZ1323NZ Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET 20 V, 10 A, 13 m Features General Description This device is designed specifically as a single package solution Max rS1S2(on) = 13 m at VGS = 4.5 V, IS1S2 = 1 A for Li-Ion battery pack protection circuit and other ultra-portable Max rS1S2(on) = 13 m at VGS = 3.8 V, IS1S2 = 1 A applications. It f

Другие MOSFET... FCD380N60E , FCD900N60Z , FCD600N60Z , FDD1600N10ALZD , FDD850N10LD , FCH072N60F , FDMB2308PZ , FDMS3669S , 12N60 , FDPC8012S , FDMS86152 , FDN537N , FDB9406F085 , FDD120AN15F085 , FDPC4044 , FDMC8360L , FDMC86340 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.