HUF75631SK8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HUF75631SK8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
Paquete / Cubierta: MS012AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HUF75631SK8

HUF75631SK8 Datasheet (PDF)

..1. Size:254K fairchild semi
huf75631sk8.pdf

HUF75631SK8Data Sheet December 20015.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC MS-012AAFeaturesBRANDING DASH Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.039, VGS = 10V5 Simulation Models1 - Temperature Compensated PSPICE and SABER 2Electrical Models34- Spice and SABER Thermal Impedance Models- www.fairchildsemi.comSymbol

0.1. Size:249K fairchild semi
huf75631sk8t.pdf

5.1. Size:202K fairchild semi
huf75631s3s.pdf

HUF75631P3, HUF75631S3STData Sheet December 200133A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) Ultra Low On-ResistanceGATE- rDS(ON) = 0.040, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice an

5.2. Size:200K fairchild semi
huf75631s3st.pdf

Otros transistores... HUF75344S3S , HUF75345G3 , HUF75345P3 , HUF75345S3S , HUF75545P3 , HUF75545S3S , HUF75623P3 , HUF75631P3 , 60N06 , HUF75637P3 , HUF75637S3S , HUF75639G3 , HUF75639P3 , HUF75639S3S , HUF75645P3 , HUF75645S3S , HUF75652G3 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: