FCMT199N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FCMT199N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.199 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN8X8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FCMT199N60

FCMT199N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:937K fairchild semi
fcmt199n60.pdf

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9.1. Size:355K onsemi
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9.2. Size:303K onsemi
fcmt125n65s3.pdf

MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III,Easy-Drive650 V, 24 A, 125 mWFCMT125N65S3www.onsemi.comGeneral DescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology

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History: AP99T03GR-HF

Liste

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