Справочник MOSFET. FCMT199N60

 

FCMT199N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCMT199N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.199 Ohm
   Тип корпуса: PQFN8X8
 

 Аналог (замена) для FCMT199N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCMT199N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:937K  fairchild semi
 fcmt199n60.pdf pdf_icon

FCMT199N60

August 2014FCMT199N60N-Channel SuperFET II MOSFET600 V, 20.2 A, 199 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing RDS(on) = 170 m (Typ.)charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 57 nC) a

 9.1. Size:355K  onsemi
 fcmt180n65s3.pdf pdf_icon

FCMT199N60

MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 17 A, 180 mWFCMT180N65S3DescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to minimize VDSS RDS(ON

 9.2. Size:303K  onsemi
 fcmt125n65s3.pdf pdf_icon

FCMT199N60

MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III,Easy-Drive650 V, 24 A, 125 mWFCMT125N65S3www.onsemi.comGeneral DescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology

Другие MOSFET... FDMC86261P , FCB20N60F085 , FDPC8016S , FCPF400N80Z , FCH47N60F085 , FDMS86255 , FDBL86210F085 , FDMS86263P , 2SK3918 , FQA13N50CF109 , FQP2P40 , FQP3N50C , FDB20N50F , FDH210N08 , FDMC86139P , FDZ1416NZ , FDMS8350L .

History: NP60N04VDK | R6515KNJ | RMW200N03 | WMLL010N04LG4 | STU80N4F6 | P50NF06 | DG4N65-TO251

 

 
Back to Top

 


 
.