FDZ1416NZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDZ1416NZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 136 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Encapsulados: WLCSP
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FDZ1416NZ datasheet
fdz1416nz.pdf
July 2014 FDZ1416NZ Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET 24 V, 7 A, 23 m Features General Description This device is designed specifically as a single package solution Max rS1S2(on) = 23 m at VGS = 4.5 V, IS1S2 = 1 A for Li-Ion battery pack protection circuit and other ultra-portable Max rS1S2(on) = 25 m at VGS = 4 V, IS1S2 = 1 A applications. It features
fdz1416nz.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Otros transistores... FDMS86263P , FCMT199N60 , FQA13N50CF109 , FQP2P40 , FQP3N50C , FDB20N50F , FDH210N08 , FDMC86139P , AO4468 , FDMS8350L , FDD9407F085 , FDMC86259P , FDMS5360LF085 , FDMS5362LF085 , FDMD84100 , FCH041N60E , FDMC6686P .
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