FDBL9401F085 Todos los transistores

 

FDBL9401F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDBL9401F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4025 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00065 Ohm
   Paquete / Cubierta: H-PSOF
 

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FDBL9401F085 Datasheet (PDF)

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FDBL9401F085

May 2014FDBL9401_F085N-Channel PowerTrench MOSFET40 V, 300 A, 0.65 m Features Typical RDS(on) = 0.5 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 220 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability D RoHS Compliant Qualified to AEC Q101Applications G Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor DriversS Integrated Starter/AlternatorFor

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FDBL9401F085

FDBL9401-F085N-Channel PowerTrench MOSFET 40 V, 300 A, 0.65 mFeatures Typical RDS(on) = 0.5 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 220 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability D RoHS Compliant Qualified to AEC Q101ApplicationsG Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor DriversS Integrated Starter/Alternator Primary Switch

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FDBL9401F085

FDBL9401L-F085NChannel Logic LevelPowerTrench) MOSFET40 V, 300 A, 0.55 mWFeatureswww.onsemi.com Typical RDS(on) = 0.47 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 269 nC at VGS = 10 V, ID = 80 A UIS CapabilityVDSS RDS(ON) MAX ID MAX Qualified to AEC Q10140 V 0.55 mW @ 10 V 300 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant

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History: TK15D60U | SST65R600S3

 

 
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