FDBL9401F085 Todos los transistores

 

FDBL9401F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDBL9401F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4025 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00065 Ohm

Encapsulados: H-PSOF

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FDBL9401F085 datasheet

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FDBL9401F085

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FDBL9401F085

FDBL9401-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 40 V, 300 A, 0.65 m Features Typical RDS(on) = 0.5 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 220 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability D RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications G Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers S Integrated Starter/Alternator Primary Switch

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FDBL9401F085

FDBL9401L-F085 N Channel Logic Level PowerTrench) MOSFET 40 V, 300 A, 0.55 mW Features www.onsemi.com Typical RDS(on) = 0.47 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 269 nC at VGS = 10 V, ID = 80 A UIS Capability VDSS RDS(ON) MAX ID MAX Qualified to AEC Q101 40 V 0.55 mW @ 10 V 300 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

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