FDBL9401F085 - описание и поиск аналогов

 

FDBL9401F085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDBL9401F085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4025 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00065 Ohm

Тип корпуса: H-PSOF

Аналог (замена) для FDBL9401F085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDBL9401F085 даташит

 6.1. Size:472K  fairchild semi
 fdbl9401 f085.pdf pdf_icon

FDBL9401F085

 6.2. Size:389K  onsemi
 fdbl9401-f085.pdf pdf_icon

FDBL9401F085

FDBL9401-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 40 V, 300 A, 0.65 m Features Typical RDS(on) = 0.5 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 220 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability D RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications G Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers S Integrated Starter/Alternator Primary Switch

 6.3. Size:374K  onsemi
 fdbl9401l-f085.pdf pdf_icon

FDBL9401F085

FDBL9401L-F085 N Channel Logic Level PowerTrench) MOSFET 40 V, 300 A, 0.55 mW Features www.onsemi.com Typical RDS(on) = 0.47 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 269 nC at VGS = 10 V, ID = 80 A UIS Capability VDSS RDS(ON) MAX ID MAX Qualified to AEC Q101 40 V 0.55 mW @ 10 V 300 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDMS0308AS , FDMS0309AS , FDMS0310AS , FDMS0312AS , FQB27N25TMF085 , FDBL9403F085 , FDBL9406F085 , FDMS86163P , IRFB4227 , FDD9409F085 , FDMA86265P , FDMC86265P , FDMD82100L , FCH041N65F , FCH130N60 , FCH170N60 , FDN86265P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.