FCP150N65F Todos los transistores

 

FCP150N65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCP150N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 298 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO220

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FCP150N65F datasheet

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FCP150N65F

August 2014 FCP150N65F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 650 V, 24 A, 150 m Features Description 700 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 133 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 72 nC) an

 ..2. Size:257K  inchange semiconductor
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FCP150N65F

isc N-Channel MOSFET Transistor FCP150N65F FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

Otros transistores... FCH104N60 , FCP104N60 , FDPF39N20TLDTU , FDPF44N25TRDTU , FDPF51N25RDTU , FQPF5P20RDTU , FDP86363F085 , FCPF850N80Z , K3569 , FCPF1300N80Z , FDA16N50LDTU , FDPF33N25TRDTU , FCH072N60 , FCMT299N60 , FDMS8050 , FCH150N65FF155 , FCPF650N80Z .

History: FCH190N65F | FCP104N60 | FDMS8050

 

 

 

 

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