2SK537 Todos los transistores

 

2SK537 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK537
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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2SK537 Datasheet (PDF)

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2SK537

Ordering number:EN2550N-Channel Enhancement MOS Silicon FET2SK536Analog Switch ApplicationsFeatures Package Dimensions Large yfs .unit:mm Enhancement type.2024B Low ON-state resistance.[2SK536]0.40.1630 to 0.11 0.95 20.951.92.91 : Gate2 : Drain3 : SourceSANYO : CPSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbo

Otros transistores... FDMD8280 , FCU850N80Z , FDMS5361LF085 , FCD850N80Z , 2SK3503 , 2SK3255 , 2SJ648 , 2SK1937-01 , CS150N03A8 , SPP100N08S2-07 , SPB100N08S2-07 , SST270 , SST271 , SPD35N10 , SPI70N10L , SPP70N10L , SPB70N10L .

History: FDS6294 | NTTFS4929N | 2N6788JANTXV | APT1201R5BVR | ZVP0120A | FQA7N80CF109

 

 
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