Справочник MOSFET. 2SK537

 

2SK537 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK537
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для 2SK537

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK537 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  toshiba
2sk537.pdfpdf_icon

2SK537

Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

 9.2. Size:45K  toshiba
2sk539.pdfpdf_icon

2SK537

 9.3. Size:60K  sanyo
2sk536.pdfpdf_icon

2SK537

Ordering number:EN2550N-Channel Enhancement MOS Silicon FET2SK536Analog Switch ApplicationsFeatures Package Dimensions Large yfs .unit:mm Enhancement type.2024B Low ON-state resistance.[2SK536]0.40.1630 to 0.11 0.95 20.951.92.91 : Gate2 : Drain3 : SourceSANYO : CPSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbo

Другие MOSFET... FDMD8280 , FCU850N80Z , FDMS5361LF085 , FCD850N80Z , 2SK3503 , 2SK3255 , 2SJ648 , 2SK1937-01 , CS150N03A8 , SPP100N08S2-07 , SPB100N08S2-07 , SST270 , SST271 , SPD35N10 , SPI70N10L , SPP70N10L , SPB70N10L .

History: NTTFS4929N | ZVP0120A | 2N6788JANTXV | APT1201R5BVR | FDS6294 | FQA7N80CF109

 

 
Back to Top

 


 
.