SST271 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SST271
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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SST271 Datasheet (PDF)
j270 sst270 j271 sst271.pdf

J/SST270 SeriesVishay SiliconixP-Channel JFETsJ270 SST270J271 SST271PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA)J/SST270 0.5 to 2.0 30 6 2J/SST271 1.5 to 4.5 30 8 6FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low Cutoff Voltage: J270
j270 j271 sst270 sst271.pdf

P-Channel JFETCORPORATIONJ270 J271 / SST270 SST271FEATURES DESCRIPTION Surface Mount The J270/SST270 Series is an all-purpose amplifier fordesigns requiring P-channel operation. These devices featureAPPLICATIONS high gain, low noise and tight V limits for simple circuitGS(OFF)design. They are available in low-cost SOT-23 and TO-92 P-Channel Amplifierp
Otros transistores... 2SK3503 , 2SK3255 , 2SJ648 , 2SK1937-01 , 2SK537 , SPP100N08S2-07 , SPB100N08S2-07 , SST270 , IRF830 , SPD35N10 , SPI70N10L , SPP70N10L , SPB70N10L , SI2309DS , MT3205 , BUZ78 , NVD2955 .
History: FPF1C2P5BF07A | SPP70N10L | FCPF190N65FL1
History: FPF1C2P5BF07A | SPP70N10L | FCPF190N65FL1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
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