SST271 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SST271
Тип транзистора: JFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
Тип корпуса: SOT23
SST271 Datasheet (PDF)
j270 sst270 j271 sst271.pdf
J/SST270 SeriesVishay SiliconixP-Channel JFETsJ270 SST270J271 SST271PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA)J/SST270 0.5 to 2.0 30 6 2J/SST271 1.5 to 4.5 30 8 6FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low Cutoff Voltage: J270
j270 j271 sst270 sst271.pdf
P-Channel JFETCORPORATIONJ270 J271 / SST270 SST271FEATURES DESCRIPTION Surface Mount The J270/SST270 Series is an all-purpose amplifier fordesigns requiring P-channel operation. These devices featureAPPLICATIONS high gain, low noise and tight V limits for simple circuitGS(OFF)design. They are available in low-cost SOT-23 and TO-92 P-Channel Amplifierp
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918