MT3205 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MT3205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
Encapsulados: TO220
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MT3205 datasheet
mt3205.pdf
MOS-TECH Semiconductor Co.,LTD Mar 2010 MT3205 N-Channel Power MOSFET 55V, 110A, 7.2m Features Description RDS(on) = 6.1m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 59A This N-Channel MOSFET is produced using MOS-TECH Semiconductor s advanced PowerTrench process that has High performance trench technology for extermly low RDS(on) been especially tailored to minimize
mt3203.pdf
MOS-TECH Semiconductor Co.,LTD N MT3203 N-Channel Low Qg MOSFET 30V, 100A, 3.3m General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed specifically to rDS(ON) = 3.3m , VGS = 10V, ID = 40A improve the overall efficiency of DC/ DC converters using rDS(ON) = 4.5m , VGS = 4.5V, ID = 40A either synchronous or conven tional swit ching PWM contro
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