FTA08N50 Todos los transistores

 

FTA08N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTA08N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 31 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 72 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 101 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.75 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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FTA08N50 Datasheet (PDF)

1.1. ftp08n50 fta08n50.pdf Size:468K _ark-micro

FTA08N50
FTA08N50

FTP08N50/FTA08N50 500V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 500V 0.9Ω 8.0A Low Gate Charge (typical 33nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant/Lead Free Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Marking FTP08N50 TO-

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