FTA08N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTA08N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FTA08N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTA08N50 даташит

 ..1. Size:468K  ark-micro
 ftp08n50 fta08n50.pdf pdf_icon

FTA08N50

FTP08N50/FTA08N50 500V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 500V 0.9 8.0A Low Gate Charge (typical 33nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant/Lead Free Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Marking FTP08N50 TO-

Другие IGBT... FS10SM-9, 2SK3599-01MR, 2SK1506, 2SK3538, 2SK3699-01MR, 2SK2171, 2N5640, FTP08N50, 4N60, STP16NE06, STP16NE06FP, FTX30P35G, FTZ15N35G, FTZ20N01G5, FTZ30P35G, FTZ50P01G5, FTE08N06G