Справочник MOSFET. FTA08N50

 

FTA08N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTA08N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FTA08N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTA08N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  ark-micro
 ftp08n50 fta08n50.pdf pdf_icon

FTA08N50

FTP08N50/FTA08N50500V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 500V 0.9 8.0A Low Gate Charge (typical 33nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant/Lead Free Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Marking FTP08N50 TO-

Другие MOSFET... FS10SM-9 , 2SK3599-01MR , 2SK1506 , 2SK3538 , 2SK3699-01MR , 2SK2171 , 2N5640 , FTP08N50 , 7N60 , STP16NE06 , STP16NE06FP , DMU4523D , DMD4523D , DMA4523D , DMZ6005E , DMZ6012E , FTE08N06G .

History: 40821 | HM4110

 

 
Back to Top

 


 
.