STP16NE06FP Todos los transistores

 

STP16NE06FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP16NE06FP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO220FP

 Búsqueda de reemplazo de STP16NE06FP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STP16NE06FP datasheet

 ..1. Size:336K  st
 stp16ne06 stp16ne06fp 2.pdf pdf_icon

STP16NE06FP

STP16NE06 STP16NE06FP N - CHANNEL 60V - 0.08 - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP16NE06 60 V

 ..2. Size:346K  st
 stp16ne06 stp16ne06fp.pdf pdf_icon

STP16NE06FP

STP16NE06 STP16NE06FP N - CHANNEL 60V - 0.08 - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP16NE06 60 V

 5.1. Size:188K  st
 stp16ne06l stp16ne06lfp.pdf pdf_icon

STP16NE06FP

STP16NE06L STP16NE06L/FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET TARGET DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP16NE06L 60 V

 5.2. Size:182K  st
 stp16ne06l.pdf pdf_icon

STP16NE06FP

STP16NE06L STP16NE06L/FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET TARGET DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP16NE06L 60 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SK1506 , 2SK3538 , 2SK3699-01MR , 2SK2171 , 2N5640 , FTP08N50 , FTA08N50 , STP16NE06 , 20N50 , DMU4523D , DMD4523D , DMA4523D , DMZ6005E , DMZ6012E , FTE08N06G , FTE11N06G , FTF16N06G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.