Справочник MOSFET. STP16NE06FP

 

STP16NE06FP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP16NE06FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для STP16NE06FP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP16NE06FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  st
 stp16ne06 stp16ne06fp 2.pdf pdf_icon

STP16NE06FP

STP16NE06STP16NE06FPN - CHANNEL 60V - 0.08 - 16A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP16NE06 60 V

 ..2. Size:346K  st
 stp16ne06 stp16ne06fp.pdf pdf_icon

STP16NE06FP

STP16NE06STP16NE06FPN - CHANNEL 60V - 0.08 - 16A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP16NE06 60 V

 5.1. Size:188K  st
 stp16ne06l stp16ne06lfp.pdf pdf_icon

STP16NE06FP

STP16NE06LSTP16NE06L/FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODESINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTARGET DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP16NE06L 60 V

 5.2. Size:182K  st
 stp16ne06l.pdf pdf_icon

STP16NE06FP

STP16NE06LSTP16NE06L/FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODESINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTARGET DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP16NE06L 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK1506 , 2SK3538 , 2SK3699-01MR , 2SK2171 , 2N5640 , FTP08N50 , FTA08N50 , STP16NE06 , 2N60 , DMU4523D , DMD4523D , DMA4523D , DMZ6005E , DMZ6012E , FTE08N06G , FTE11N06G , FTF16N06G .

History: SML100B11F | IPP50R250CP | WMM53N60F2

 

 
Back to Top

 


 
.