FTX30P35G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTX30P35G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 350 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.94 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 30 Ohm

Encapsulados: SOT89

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FTX30P35G datasheet

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FTX30P35G

FTX30P35G 350V P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Features Proprietary Advanced Planar Technology BVDSS RDS(ON) (Max.) ID Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed -350V 30 -200mA RoHS Compliant Halogen-free available SOT-89 D Applications Drain High Efficiency SMPS G Gate Adaptor/Charger Drain Active PFC

Otros transistores... 2SK3538, 2SK3699-01MR, 2SK2171, 2N5640, FTP08N50, FTA08N50, STP16NE06, STP16NE06FP, K3569, FTZ15N35G, FTZ20N01G5, FTZ30P35G, FTZ50P01G5, FTE08N06G, FTE11N06G, FTF16N06G, FTP04N60A