FTX30P35G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTX30P35G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6.94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 30 Ohm

Тип корпуса: SOT89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FTX30P35G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTX30P35G даташит

 ..1. Size:746K  ark-micro
 ftx30p35g.pdf pdf_icon

FTX30P35G

FTX30P35G 350V P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Features Proprietary Advanced Planar Technology BVDSS RDS(ON) (Max.) ID Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed -350V 30 -200mA RoHS Compliant Halogen-free available SOT-89 D Applications Drain High Efficiency SMPS G Gate Adaptor/Charger Drain Active PFC

Другие IGBT... 2SK3538, 2SK3699-01MR, 2SK2171, 2N5640, FTP08N50, FTA08N50, STP16NE06, STP16NE06FP, IRF520, FTZ15N35G, FTZ20N01G5, FTZ30P35G, FTZ50P01G5, FTE08N06G, FTE11N06G, FTF16N06G, FTP04N60A