FTZ15N35G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTZ15N35G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 350 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.36 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm

Encapsulados: SOT23

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FTZ15N35G datasheet

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FTZ15N35G

FTZ15N35G 350V N-Channel MOSFET General Features ESD improved Capability BV R (Max.) I DSX DS(ON) D Proprietary Advanced Planar Technology Rugged Polysilicon Gate Cell Structure 15 350V 200mA Fast Switching Speed RoHS Compliant SOT-23 Halogen-free available D Applications Drain High Efficiency SMPS Source Adaptor/Charger G A

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