FTE11N06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTE11N06G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de FTE11N06G MOSFET
FTE11N06G Datasheet (PDF)
fte11n06g.pdf

FTE11N06G 60V N-Channel MOSFET General Features Fast Switching Speed BVDSS RDS(ON) (Typ.) ID RoHS Compliant Halogen-free available 60V 11m 15A Applications Power Management in Inverter System SOP-8 Synchronous Rectification DD D D DG SS S S GOrdering Information Part Number Package Marking Remark FTE11N06G SOP-8 11N06G Halogen Free
Otros transistores... STP16NE06 , STP16NE06FP , DMU4523D , DMD4523D , DMA4523D , DMZ6005E , DMZ6012E , FTE08N06G , AO3401 , FTF16N06G , FTP04N60A , FTA04N60A , FTP04N60B , FTA04N60B , FTP07N60 , FTA07N60 , FTU02N60B .
History: ZXMP10A18K | EMF02P02H | SI2366DS | IRFS630B | SML5025HN
History: ZXMP10A18K | EMF02P02H | SI2366DS | IRFS630B | SML5025HN



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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