FTE11N06G Todos los transistores

 

FTE11N06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTE11N06G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

FTE11N06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  ark-micro
 fte11n06g.pdf pdf_icon

FTE11N06G

FTE11N06G 60V N-Channel MOSFET General Features Fast Switching Speed BVDSS RDS(ON) (Typ.) ID RoHS Compliant Halogen-free available 60V 11m 15A Applications Power Management in Inverter System SOP-8 Synchronous Rectification DD D D DG SS S S GOrdering Information Part Number Package Marking Remark FTE11N06G SOP-8 11N06G Halogen Free

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NCE65TF099F | P06P03LDG

 

 
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