Справочник MOSFET. FTE11N06G

 

FTE11N06G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FTE11N06G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5.2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для FTE11N06G

 

 

FTE11N06G Datasheet (PDF)

1.1. fte11n06g.pdf Size:372K _ark-micro

FTE11N06G
FTE11N06G

FTE11N06G 60V N-Channel MOSFET General Features  Fast Switching Speed BVDSS RDS(ON) (Typ.) ID  RoHS Compliant  Halogen-free available 60V 11m Ω 15A Applications  Power Management in Inverter System SOP-8  Synchronous Rectification D D D D D G S S S S G Ordering Information Part Number Package Marking Remark FTE11N06G SOP-8 11N06G Halogen Free

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top