Справочник MOSFET. FTE11N06G

 

FTE11N06G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTE11N06G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTE11N06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  ark-micro
 fte11n06g.pdf pdf_icon

FTE11N06G

FTE11N06G 60V N-Channel MOSFET General Features Fast Switching Speed BVDSS RDS(ON) (Typ.) ID RoHS Compliant Halogen-free available 60V 11m 15A Applications Power Management in Inverter System SOP-8 Synchronous Rectification DD D D DG SS S S GOrdering Information Part Number Package Marking Remark FTE11N06G SOP-8 11N06G Halogen Free

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.