Справочник MOSFET. FTE11N06G

 

FTE11N06G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTE11N06G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для FTE11N06G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTE11N06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  ark-micro
 fte11n06g.pdf pdf_icon

FTE11N06G

FTE11N06G 60V N-Channel MOSFET General Features Fast Switching Speed BVDSS RDS(ON) (Typ.) ID RoHS Compliant Halogen-free available 60V 11m 15A Applications Power Management in Inverter System SOP-8 Synchronous Rectification DD D D DG SS S S GOrdering Information Part Number Package Marking Remark FTE11N06G SOP-8 11N06G Halogen Free

Другие MOSFET... STP16NE06 , STP16NE06FP , DMU4523D , DMD4523D , DMA4523D , DMZ6005E , DMZ6012E , FTE08N06G , AO3401 , FTF16N06G , FTP04N60A , FTA04N60A , FTP04N60B , FTA04N60B , FTP07N60 , FTA07N60 , FTU02N60B .

History: AON1606 | 2SK3643 | IXFT96N20P | BUK9M7R2-40E | BUK662R7-55C | HFU1N60 | STL30P3LLH6

 

 
Back to Top

 


 
.