FTE11N06G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTE11N06G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FTE11N06G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTE11N06G даташит

 ..1. Size:372K  ark-micro
 fte11n06g.pdf pdf_icon

FTE11N06G

FTE11N06G 60V N-Channel MOSFET General Features Fast Switching Speed BVDSS RDS(ON) (Typ.) ID RoHS Compliant Halogen-free available 60V 11m 15A Applications Power Management in Inverter System SOP-8 Synchronous Rectification D D D D D G S S S S G Ordering Information Part Number Package Marking Remark FTE11N06G SOP-8 11N06G Halogen Free

Другие IGBT... STP16NE06, STP16NE06FP, FTX30P35G, FTZ15N35G, FTZ20N01G5, FTZ30P35G, FTZ50P01G5, FTE08N06G, P60NF06, FTF16N06G, FTP04N60A, FTA04N60A, FTP04N60B, FTA04N60B, FTP07N60, FTA07N60, FTU02N60B