FTF16N06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FTF16N06G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 252 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTF16N06G

FTF16N06G Datasheet (PDF)

..1. Size:408K ark-micro
ftf16n06g.pdf

FTF16N06G 60V N-Channel MOSFET General Features Fast Switching Speed BVDSS RDS(ON) (Typ.) ID RoHS Compliant Halogen-free available 60V 12m 40A Applications Power Management in Inverter System PDFN DSS Synchronous Rectification SG DD GDDSOrdering Information Part Number Package Marking Remark FTF16N06G PDFN56-8L 16N06G Halogen

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History: AOTF280A60L

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: