FTF16N06G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FTF16N06G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 155 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: PDFN
Аналог (замена) для FTF16N06G
FTF16N06G Datasheet (PDF)
ftf16n06g.pdf

FTF16N06G 60V N-Channel MOSFET General Features Fast Switching Speed BVDSS RDS(ON) (Typ.) ID RoHS Compliant Halogen-free available 60V 12m 40A Applications Power Management in Inverter System PDFN DSS Synchronous Rectification SG DD GDDSOrdering Information Part Number Package Marking Remark FTF16N06G PDFN56-8L 16N06G Halogen
Другие MOSFET... STP16NE06FP , DMU4523D , DMD4523D , DMA4523D , DMZ6005E , DMZ6012E , FTE08N06G , FTE11N06G , K2611 , FTP04N60A , FTA04N60A , FTP04N60B , FTA04N60B , FTP07N60 , FTA07N60 , FTU02N60B , FTD02N60B .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26