FTA07N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTA07N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Encapsulados: TO220F
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FTA07N60 datasheet
ftp07n60 fta07n60.pdf
FTP07N60/FT A07N60 600V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 600V 1.1 7.0A Low Gate Charge (typical 38.6nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant Halogen-free available Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information
Otros transistores... FTE08N06G , FTE11N06G , FTF16N06G , FTP04N60A , FTA04N60A , FTP04N60B , FTA04N60B , FTP07N60 , IRFZ48N , FTU02N60B , FTD02N60B , FTU02N70 , FTD02N70 , FTU04N60A , FTD04N60A , FTU04N60B , FTD04N60B .
History: SI1013CX | 2SK117 | STP7NA40FI
History: SI1013CX | 2SK117 | STP7NA40FI
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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