FTA07N60 Todos los transistores

 

FTA07N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTA07N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO220F

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FTA07N60 datasheet

 ..1. Size:661K  ark-micro
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FTA07N60

FTP07N60/FT A07N60 600V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 600V 1.1 7.0A Low Gate Charge (typical 38.6nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant Halogen-free available Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information

Otros transistores... FTE08N06G , FTE11N06G , FTF16N06G , FTP04N60A , FTA04N60A , FTP04N60B , FTA04N60B , FTP07N60 , IRFZ48N , FTU02N60B , FTD02N60B , FTU02N70 , FTD02N70 , FTU04N60A , FTD04N60A , FTU04N60B , FTD04N60B .

History: LSD60R099HT | IRLL2705PBF

 

 

 


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