FTA07N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTA07N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FTA07N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTA07N60 даташит

 ..1. Size:661K  ark-micro
 ftp07n60 fta07n60.pdf pdf_icon

FTA07N60

FTP07N60/FT A07N60 600V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 600V 1.1 7.0A Low Gate Charge (typical 38.6nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant Halogen-free available Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information

Другие IGBT... FTE08N06G, FTE11N06G, FTF16N06G, FTP04N60A, FTA04N60A, FTP04N60B, FTA04N60B, FTP07N60, IRFZ48N, FTU02N60B, FTD02N60B, FTU02N70, FTD02N70, FTU04N60A, FTD04N60A, FTU04N60B, FTD04N60B