FTU04N60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FTU04N60A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTU04N60A

FTU04N60A Datasheet (PDF)

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ftu04n60a ftd04n60a.pdf

FTU04N60A/FTD04N60A 600V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features 600V 2.0 4.5A Low ON Resistance Low Gate Charge (typical 20nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant Halogen-free available Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information P

6.1. Size:529K ark-micro
ftu04n60b ftd04n60b.pdf

FTU04N60B/FTD04N60B 600V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features 600V 2.8 3.6A Low ON Resistance Low Gate Charge (typical 14.7nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant/Lead Free Halogen-free available Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Inf

7.1. Size:363K ark-micro
ftu04n65c ftd04n65c.pdf

FTU04N65C/FTD04N65C Doc. NO: QRD-310 650V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 650V 2.6 4.0A Low Gate Charge Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant/Lead Free D Halogen-free available Applications High Efficiency SMPS GG Adaptor/Charger DS Active PFC GSD LCD

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Liste

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