FTD06N70C Todos los transistores

 

FTD06N70C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTD06N70C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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FTD06N70C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  ark-micro
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FTD06N70C

FTU06N70C/FTD06N70C Doc. NO: QRD-310 700V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features 700V 1.8 6.0A Low ON Resistance Low Gate Charge Fast Switching 100% Avalanche Tested D RoHS Compliant/Lead Free Halogen-free available Applications GG High Efficiency SMPS DSGS Adaptor/Charger DS Active PFC To-252

 8.1. Size:234K  1
 ftd06n03na.pdf pdf_icon

FTD06N70C

FTD06N03NA N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications: Adaptor ID Silicon ID Package VDSS RDS(ON)(Typ.) Charger limited current limited SMPS 30V 3.6m 90A 60A Features: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Informati

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History: SWHA069R10VS | WMQ37N03T1 | RU30E4B | HRS88N08K | TMC8N65H | KIA2N60H-252 | NCE3008N

 

 
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