FTD06N70C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTD06N70C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Encapsulados: TO252
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FTD06N70C datasheet
ftu06n70c ftd06n70c.pdf
FTU06N70C/FTD06N70C Doc. NO QRD-310 700V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features 700V 1.8 6.0A Low ON Resistance Low Gate Charge Fast Switching 100% Avalanche Tested D RoHS Compliant/Lead Free Halogen-free available Applications G G High Efficiency SMPS D S G S Adaptor/Charger D S Active PFC To-252
ftd06n03na.pdf
FTD06N03NA N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications Adaptor ID Silicon ID Package VDSS RDS(ON)(Typ.) Charger limited current limited SMPS 30V 3.6m 90A 60A Features RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Informati
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