FTD06N70C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FTD06N70C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для FTD06N70C
FTD06N70C Datasheet (PDF)
ftu06n70c ftd06n70c.pdf

FTU06N70C/FTD06N70C Doc. NO: QRD-310 700V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features 700V 1.8 6.0A Low ON Resistance Low Gate Charge Fast Switching 100% Avalanche Tested D RoHS Compliant/Lead Free Halogen-free available Applications GG High Efficiency SMPS DSGS Adaptor/Charger DS Active PFC To-252
ftd06n03na.pdf

FTD06N03NA N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications: Adaptor ID Silicon ID Package VDSS RDS(ON)(Typ.) Charger limited current limited SMPS 30V 3.6m 90A 60A Features: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Informati
Другие MOSFET... FTD02N70 , FTU04N60A , FTD04N60A , FTU04N60B , FTD04N60B , FTU04N65C , FTD04N65C , FTU06N70C , AO3407 , 2SK1487 , SSP7N60B , SSS7N60B , SSM40N03P , IRF830B , IRFS830B , CLY2 , 2SK2369 .
History: WFD2N65L | WMJ26N65C4
History: WFD2N65L | WMJ26N65C4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337