2SK2358 Todos los transistores

 

2SK2358 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2358
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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2SK2358 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  nec
2sk2357 2sk2358.pdf pdf_icon

2SK2358

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2357/2SK2358SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2357/2SK2358 is N-Channel MOS Field Effect Transistor(in millimeters)designed for high voltage switching applications.4.5 0.210.0 0.33.2 0.2FEATURES2.7 0.2 Low On-Resistance2SK2357: RDS(on) = 0.9 (VGS = 10 V, ID =

 8.1. Size:417K  toshiba
2sk2350.pdf pdf_icon

2SK2358

2SK2350 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2350 Switching Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.26 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 8 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 200 V) DS Enhance

 8.2. Size:499K  toshiba
2sk2352.pdf pdf_icon

2SK2358

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 8.3. Size:90K  nec
2sk2359 2sk2360.pdf pdf_icon

2SK2358

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2359/2SK2360SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2359, 2SK2359-Z/2SK2360, 2SK2360-Z is N-Channel(in millimeters)MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switchingapplications. 10.6 MAX. 4.8 MAX.3.6 0.21.3 0.210.0FEATURES Low On-Resistance42SK2359: RDS(o

Otros transistores... SSS7N60B , SSM40N03P , IRF830B , IRFS830B , CLY2 , 2SK2369 , 2SK2370 , 2SK2357 , IRF540N , AOD436 , BSN304 , J309G , J310G , SSF5508 , SSF7509 , 2SK1078 , 2SK2018-01L .

History: IRLR024PBF | SSM2307G | IRF830ALPBF | RUH30150M | CMI80N06 | SST65R1K2S2E | PMV170UN

 

 
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