2SK2675 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2675
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6 VQgⓘ - Carga de la puerta: 63 nC
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: ITO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK2675 MOSFET
2SK2675 Datasheet (PDF)
2sk2675.pdf

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2675Case : ITO-3P (FP7W90HVX2)900V 7AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.Avalanche resistance guaranteed.APPLICATIONSwitching power supply of AC 240V inputHigh voltage po
2sk2679.pdf

2SK2679 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2679 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 0.84 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.4 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 400 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V
2sk2676 f10w90hvx2.pdf

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2676Case : MTO-3P(Unit : mm)( F10W90HVX2 )900V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.Avalanche resistance guaranteed.APPLICATIONSwitching power supply of
2sk2677.pdf

!SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2677Case : ITO-3P(Unit : mm)(FP10W90HVX2)900V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.
Otros transistores... 2SK2018-01S , 2SK2012 , 2SK2623 , 2SK3508-01MR , 2SK4200LS , 2SK3354 , 2SK3354S , 2SK3354Z , IRFB4115 , 2SK596 , BR100N03 , BR12N60 , BR1N60 , BR2N60 , BR4145 , BR4953 , BR4N60 .
History: PSMN016-100PS | IRFU310A | BUZ20 | IPT012N08N5 | IRFU310 | FDY300NZ | SFF9244
History: PSMN016-100PS | IRFU310A | BUZ20 | IPT012N08N5 | IRFU310 | FDY300NZ | SFF9244



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
Popular searches
2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055