2SK2675 - описание и поиск аналогов

 

2SK2675. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2675

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: ITO3P

Аналог (замена) для 2SK2675

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2675 даташит

 ..1. Size:331K  shindengen
2sk2675.pdfpdf_icon

2SK2675

SHINDENGEN HVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2675 Case ITO-3P (FP7W90HVX2) 900V 7A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed. APPLICATION Switching power supply of AC 240V input High voltage po

 8.1. Size:393K  toshiba
2sk2679.pdfpdf_icon

2SK2675

2SK2679 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2679 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 0.84 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 4.4 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 400 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V

 8.2. Size:272K  shindengen
2sk2676 f10w90hvx2.pdfpdf_icon

2SK2675

SHINDENGEN HVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2676 Case MTO-3P (Unit mm) ( F10W90HVX2 ) 900V 10A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed. APPLICATION Switching power supply of

 8.3. Size:581K  shindengen
2sk2677.pdfpdf_icon

2SK2675

! SHINDENGEN HVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2677 Case ITO-3P (Unit mm) (FP10W90HVX2) 900V 10A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast.

Другие MOSFET... 2SK2018-01S , 2SK2012 , 2SK2623 , 2SK3508-01MR , 2SK4200LS , 2SK3354 , 2SK3354S , 2SK3354Z , P55NF06 , 2SK596 , BR100N03 , BR12N60 , BR1N60 , BR2N60 , BR4145 , BR4953 , BR4N60 .

History: SM4600CSK | WML14N65C4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.