BR4953 Todos los transistores

 

BR4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BR4953
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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BR4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  blue-rocket-elect
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BR4953

BR4953(BRCS4953SC) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P MOS Dual P-Channel MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(ON),Rugged and reliable. / Applications

 0.1. Size:921K  blue-rocket-elect
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BR4953

BR4953D Rev.H Oct.-2018 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P MOS Dual P-Channel MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(ON),Rugged and reliable. / Applications

 9.1. Size:66K  motorola
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BR4953

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR4957LT1/DThe RF LinePNP SiliconMMBR4957LT1, T3High-Frequency Transistor. . . designed for highgain, lownoise amplifier oscillator and mixer applica-tions. Specifically packaged for thick and thinfilm circuits using surface mountcomponents. High Gain Gpe = 17 dB Typ @ f = 450 MHzIC = 30 mA

Otros transistores... 2SK3354Z , 2SK2675 , 2SK596 , BR100N03 , BR12N60 , BR1N60 , BR2N60 , BR4145 , IRFP260 , BR4N60 , BR50N06 , BR50N10 , BR70N06 , BR75N08 , BR75N75 , BR7N60 , BR7N80 .

History: IRFI634A | FDA20N50F

 

 
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