BR80N10 Todos los transistores

 

BR80N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BR80N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BR80N10 Datasheet (PDF)

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BR80N10

BR80N10(BRCS80N10R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig

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BR80N08(BRCS80N08R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig

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BR80N06(BRCS80N06R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

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BR80N10

BR80N75(BRCS80N75R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig

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History: BF901R | STU609S | STB438S

 

 
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