BRB7N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRB7N60  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de BRB7N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BRB7N60 datasheet

 ..1. Size:747K  blue-rocket-elect
 brb7n60.pdf pdf_icon

BRB7N60

BRB7N60(3BRCS7N60CB) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi

 8.1. Size:831K  blue-rocket-elect
 brb7n65.pdf pdf_icon

BRB7N60

BRB7N65(BRCS7N65B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

 9.1. Size:989K  blue-rocket-elect
 brb7n80.pdf pdf_icon

BRB7N60

BRB7N80(BRCS7N80B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Otros transistores... CS2N60, CS2N60F, JCS2N60V, JCS2N60R, JCS2N60C, JCS2N60F, SI4963DY, BRB50N06, 5N60, BRB7N65, BRB7N80, BRB80N06, BRB80N08, BRB80N10, BRD15P06, BRD17N10, BRD18N06