Справочник MOSFET. BRB7N60

 

BRB7N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRB7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для BRB7N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:747K  blue-rocket-elect
 brb7n60.pdf pdf_icon

BRB7N60

BRB7N60(3BRCS7N60CB) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi

 8.1. Size:831K  blue-rocket-elect
 brb7n65.pdf pdf_icon

BRB7N60

BRB7N65(BRCS7N65B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

 9.1. Size:989K  blue-rocket-elect
 brb7n80.pdf pdf_icon

BRB7N60

BRB7N80(BRCS7N80B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V , JCS2N60R , JCS2N60C , JCS2N60F , SI4963DY , BRB50N06 , P60NF06 , BRB7N65 , BRB7N80 , BRB80N06 , BRB80N08 , BRB80N10 , BRD15P06 , BRD17N10 , BRD18N06 .

History: APQ03SN80CB

 

 
Back to Top

 


 
.