BRB80N10 Todos los transistores

 

BRB80N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRB80N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 131 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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BRB80N10 Datasheet (PDF)

1.1. brb80n10.pdf Size:881K _blue-rocket-elect

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BRB80N10(BRCS80N10B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-263 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Low gate charge, low crss, fast switching. 用途 / Applications 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。 These devices are well suited for hi

4.1. brb80n08.pdf Size:751K _blue-rocket-elect

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BRB80N08(BRCS80N08B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-263 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Low gate charge, low crss, fast switching. 用途 / Applications 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。 These devices are well suited for hi

4.2. brb80n06.pdf Size:1667K _blue-rocket-elect

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BRB80N06(BRCS80N06B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-263 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features R 小,门电荷低,C 小,开关速度快。 DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. 用途 / Applications 用于低压电路如:汽车电路、DC/DC 转换、便携

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