BRB80N10
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BRB80N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 80
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
trⓘ -
Время нарастания: 10
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015
Ohm
Тип корпуса:
TO263
Аналог (замена) для BRB80N10
BRB80N10
Datasheet (PDF)
..1. Size:881K blue-rocket-elect
brb80n10.pdf BRB80N10(BRCS80N10B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi
8.1. Size:751K blue-rocket-elect
brb80n08.pdf BRB80N08(BRCS80N08B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi
8.2. Size:734K blue-rocket-elect
brb80n08a.pdf BRB80N08A Rev.C Jun.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. Halogen-free Product. / Applications DC/DC These devi
8.3. Size:1667K blue-rocket-elect
brb80n06.pdf BRB80N06(BRCS80N06B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.