BRD3N25 Todos los transistores

 

BRD3N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRD3N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de BRD3N25 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BRD3N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1102K  blue-rocket-elect
brd3n25.pdf pdf_icon

BRD3N25

BRD3N25(BRCS3N25D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

 9.1. Size:802K  blue-rocket-elect
brd3n80.pdf pdf_icon

BRD3N25

BRD3N80(BRCS3N80D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Otros transistores... BRD15P06 , BRD17N10 , BRD18N06 , BRD18P06 , BRD1N60 , BRD20N03 , BRD2N60 , BRD2N65 , IRFB31N20D , BRD3N80 , BRD4N60 , BRD4N65 , BRD50N03 , BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 , BRD630 .

History: IXFT30N60Q | SKI10297 | UF634 | IRF512 | P1604ED | MDD1904RH | BF410B

 

 
Back to Top

 


 
.