BRD3N25 - описание и поиск аналогов

 

BRD3N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRD3N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для BRD3N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD3N25 даташит

 ..1. Size:1102K  blue-rocket-elect
 brd3n25.pdf pdf_icon

BRD3N25

BRD3N25(BRCS3N25D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

 9.1. Size:802K  blue-rocket-elect
 brd3n80.pdf pdf_icon

BRD3N25

BRD3N80(BRCS3N80D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... BRD15P06 , BRD17N10 , BRD18N06 , BRD18P06 , BRD1N60 , BRD20N03 , BRD2N60 , BRD2N65 , IRF2807 , BRD3N80 , BRD4N60 , BRD4N65 , BRD50N03 , BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 , BRD630 .

History: WMJ80N60C4 | IRF3415PBF | WMK043N10LGS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.