BRD50N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRD50N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Encapsulados: TO252
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BRD50N06 datasheet
brd50n06.pdf
BRD50N06 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
brd50n03.pdf
BRD50N03 Rev.G Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
Otros transistores... BRD20N03 , BRD2N60 , BRD2N65 , BRD3N25 , BRD3N80 , BRD4N60 , BRD4N65 , BRD50N03 , P60NF06 , BRD5N50 , BRD5N60 , BRD630 , BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 , BRF10N65 .
History: WSD2012DN25 | WSD6056DN56
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Liste
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