BRD50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BRD50N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: TO252
BRD50N06 Datasheet (PDF)
brd50n06.pdf

BRD50N06 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
brd50n03.pdf

BRD50N03 Rev.G Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
brd50p06.pdf

BRD50P06 Rev.F Nov.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. Halogen-free Product. / Applications
Другие MOSFET... BRD20N03 , BRD2N60 , BRD2N65 , BRD3N25 , BRD3N80 , BRD4N60 , BRD4N65 , BRD50N03 , AO3401 , BRD5N50 , BRD5N60 , BRD630 , BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 , BRF10N65 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0613APD | JMSL0612PU | JMSL0612PPD | JMSL0612PP | JMSL0612PK | JMSL0612PGQ | JMSL0612PG | JMSL0612AUQ | JMSL0612AU | JMSL0612AKQ | JMSL0612AK | JMSL0612AGQ | JMSL0612AG | JMSL06120UQ | JMSL0611PUD | JMSL0611PU
Popular searches
bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350