BRD50N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BRD50N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BRD50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD50N06 даташит

 ..1. Size:773K  blue-rocket-elect
 brd50n06.pdf pdf_icon

BRD50N06

BRD50N06 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 7.1. Size:706K  blue-rocket-elect
 brd50n03.pdf pdf_icon

BRD50N06

BRD50N03 Rev.G Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 9.1. Size:587K  blue-rocket-elect
 brd50p06.pdf pdf_icon

BRD50N06

Другие IGBT... BRD20N03, BRD2N60, BRD2N65, BRD3N25, BRD3N80, BRD4N60, BRD4N65, BRD50N03, MMIS60R580P, BRD5N50, BRD5N60, BRD630, BRD6N60, BRD6N70, BRD70N03, BRF10N60, BRF10N65