BRD630 Todos los transistores

 

BRD630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRD630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de BRD630 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BRD630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1079K  blue-rocket-elect
 brd630.pdf pdf_icon

BRD630

BRD630(BRCS630D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high e

 ..2. Size:604K  first silicon
 brd630.pdf pdf_icon

BRD630

SEMICONDUCTORBRD630TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET AICJGENERAL DESCRIPTION DIM MILLIMETERSThis advanced high voltage MOSFET is designed to stand high A 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2energy in the avalanche mode and switch efficiently. D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1This new high energy device also offers a drainHH 1 00 MAXI 2 30

Otros transistores... BRD3N25 , BRD3N80 , BRD4N60 , BRD4N65 , BRD50N03 , BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 , IRF730 , BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 , BRF10N65 , BRF10N80 , BRF12N60 , BRF12N65 .

History: FXN0206C

 

 
Back to Top

 


 
.