BRD630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRD630
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de BRD630 MOSFET
BRD630 Datasheet (PDF)
brd630.pdf
BRD630(BRCS630D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high e
brd630.pdf
SEMICONDUCTORBRD630TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET AICJGENERAL DESCRIPTION DIM MILLIMETERSThis advanced high voltage MOSFET is designed to stand high A 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2energy in the avalanche mode and switch efficiently. D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1This new high energy device also offers a drainHH 1 00 MAXI 2 30
Otros transistores... BRD3N25 , BRD3N80 , BRD4N60 , BRD4N65 , BRD50N03 , BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 , IRFZ46N , BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 , BRF10N65 , BRF10N80 , BRF12N60 , BRF12N65 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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